Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.9A (Ta)
• Глубина 750pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 53mOhm @ 4.9A, 10V
• Тип симистора 25nC @ 10V
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC