Инвентаризация:190508

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 60 nC @ 4.5 V
  • 4481 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC

Инвентаризация: 10463

SENSOR 0.07PSID 0.08" 12BIT 8SMD

Инвентаризация: 408

MOSFET P-CH 12V 10A 8SO

Инвентаризация: 0

Top