Инвентаризация:275025

Технические детали

  • Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.4Ohm @ 1.3A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение IPAK
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 250 V
  • 20 nC @ 10 V
  • 540 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


P-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 167865

P-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 4236

P-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 10835

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Инвентаризация: 1236

Top