- Модель продукта SSP1N60A
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Описание N-CHANNEL POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:6615
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12Ohm @ 500mA, 10V
- Материал феррулы 34W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 11 nC @ 10 V
- 190 pF @ 25 V