Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric ST
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 30A, 10V
• Материал феррулы 38W (Tc)
• Барьерный тип 4V @ 33µA
• Максимальное переменное напряжение MG-WDSON-2
• Длина ремня 10V
• Шаг Количество ±20V
• 60 V
• 46 nC @ 10 V
• 3700 pF @ 30 V