- Модель продукта HUF76009P3
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Описание N-CHANNEL POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:9013
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 41W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 20 V
- 13 nC @ 10 V
- 470 pF @ 20 V