- Модель продукта IRFM220BTF
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Описание N-CHANNEL POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:51810
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.13A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 800mOhm @ 570mA, 10V
- Материал феррулы 2.4W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223-4
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 200 V
- 16 nC @ 10 V
- 390 pF @ 25 V