Технические детали

• Тип монтажа 3-SSIP
• Количество витков Through Hole
• Резистивный материал PNP
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Толщина ленты 300mV @ 10mA, 100mA
• Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
• Входной логический уровень - Высокий 200 @ 1mA, 6V
• Тип диода 200MHz
• Максимальное переменное напряжение 3-SPA
• Суспензия 200 mA
• 50 V
• 300 mW