Технические детали

• Напряжение NAND Gate
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 125°C
• Диаметр - Внутренний 4.5V ~ 5.5V
• Ток - Входное смещение (Макс) 2mA, 2mA
• Коэффициент передачи тока (максимальный) 2
• Сила Гаусса 2V
• Диаметр - Бочка 0.8V
• Ширина - Внутренняя 12ns @ 4.5V, 50pF
• 1
• 20 µA