Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric MN
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 86A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 17A, 10V
• Материал феррулы 2.8W (Ta), 89W (Tc)
• Барьерный тип 4.9V @ 150µA
• Максимальное переменное напряжение DIRECTFET™ MN
• Длина ремня 10V
• Шаг Количество ±20V
• 60 V
• 50 nC @ 10 V
• 2120 pF @ 25 V