Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric SJ
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 5.7A (Ta), 25A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 5.7A, 10V
• Материал феррулы 2.2W (Ta), 42W (Tc)
• Барьерный тип 4.9V @ 50µA
• Максимальное переменное напряжение DIRECTFET™ SJ
• Длина ремня 10V
• Шаг Количество ±20V
• 100 V
• 20 nC @ 10 V
• 890 pF @ 25 V