- Модель продукта STB30N65M2AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1749
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 190W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 650 V
- 30.8 nC @ 10 V
- 1440 pF @ 100 V
- AEC-Q101