Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.9W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.9A (Ta)
• Глубина 1100pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 6.9A, 10V
• Тип симистора 12nC @ 4.5V
• Барьерный тип 1.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC