Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel Complementary
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.7W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 5.7A (Ta)
• Глубина 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
• Тип симистора 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
• Барьерный тип 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC