Инвентаризация:1572

Технические детали

  • Количество витков Through Hole
  • Резистивный материал NPN
  • Крутящий момент - Винт -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Смываемый 350mW
  • IGBT Тип 25V
  • Входной логический уровень - Высокий 60 @ 4mA, 10V
  • Тип диода 650MHz

Сопутствующие товары


RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

Инвентаризация: 6192

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

Инвентаризация: 29924

Top