Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 64A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 75W (Tc)
  • Барьерный тип 2.4V @ 580µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 34.6 nC @ 10 V
  • 2312 pF @ 20 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN

Инвентаризация: 4

MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN

Инвентаризация: 20254

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W

Инвентаризация: 28963

Top