- Модель продукта FDM606P
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:11087
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
- Материал феррулы 1.92W (Ta)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-MLP, MicroFET (3x2)
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 20 V
- 30 nC @ 4.5 V
- 2200 pF @ 10 V