- Модель продукта IPT026N10N5ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8716
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 27A (Ta), 202A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.6mOhm @ 150A, 10V
- Материал феррулы 214W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 158µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-1
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 120 nC @ 10 V
- 8800 pF @ 50 V