- Модель продукта IPG20N06S4L11ATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:43589
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 65W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Глубина 4020pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 11.2mOhm @ 17A, 10V
- Тип симистора 53nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.2V @ 28µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-10
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101