Инвентаризация:11126

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 38W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 12µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-33
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 11 nC @ 10 V
  • 670 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Инвентаризация: 1018

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN

Инвентаризация: 22010

IAUC120N04S6N006ATMA1

Инвентаризация: 7540

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 3395

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

Инвентаризация: 2786

Top