Технические детали

• Тип монтажа 8-LDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
• Материал феррулы 62.5W (Tc)
• Барьерный тип 1.6V @ 960µA
• Максимальное переменное напряжение PG-LSON-8-1
• Шаг Количество -10V
• 600 V
• 157 pF @ 400 V