Технические детали

• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внутренняя отделка контактов 55V
• Толщина внешнего контактного покрытия 150A (Tc)
• Глубина 6970pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 100A, 10V
• Тип симистора 100nC @ 10V
• Барьерный тип 4V @ 1mA