Технические детали

• Тип монтажа E2
• Количество витков Chassis Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Температура хранения/охлаждения Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
• Количество 200 mA
• Напряжение - Максимальный диапазон питания 95 mA
• Тип переводчика — русский язык 1100A, 1190A
• Метод укладки 3 SCRs, 3 Diodes
• Увеличение 48 A
• Размер корпуса - Вставка (Преобразовать из) 1.5 V
• 200 A
• 1.6 kV