- Модель продукта SIDR220DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7473
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 87.7A (Ta), 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Барьерный тип 2.1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +16V, -12V
- 25 V
- 200 nC @ 10 V
- 1085 pF @ 10 V