- Модель продукта RFD12N06RLESM9A
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8531
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 63mOhm @ 18A, 10V
- Материал феррулы 49W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±16V
- 60 V
- 15 nC @ 10 V
- 485 pF @ 25 V