- Модель продукта FQD12N20LTM
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4018
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 280mOhm @ 4.5A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 55W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 21 nC @ 5 V
- 1080 pF @ 25 V