- Модель продукта FQD11P06TM
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:43824
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 185mOhm @ 4.7A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 38W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 60 V
- 17 nC @ 10 V
- 550 pF @ 25 V