Инвентаризация:4480

Технические детали

  • Тип монтажа SC-100, SOT-669
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 25A, 10V
  • Тип подключения Schottky Diode (Body)
  • Материал феррулы 115W (Ta)
  • Барьерный тип 2.05V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56, Power-SO8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 57 nC @ 10 V
  • 4103 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 5276

MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30

Инвентаризация: 2870

MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4

Инвентаризация: 2954

MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56

Инвентаризация: 4364

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3878

Top