Инвентаризация:15221

Технические детали

  • Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Резистивный материал PNP - Darlington
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Толщина ленты 1.5V @ 100µA, 100mA
  • Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
  • Входной логический уровень - Высокий 20000 @ 100mA, 5V
  • Тип диода 125MHz
  • Максимальное переменное напряжение SOT-223-4
  • Суспензия 1.2 A
  • 30 V
  • 1 W

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3

Инвентаризация: 472003

BJT SOT23 40V NPN 0.35W 150C

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 15

TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V SOT23

Инвентаризация: 21

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Инвентаризация: 55

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN

Инвентаризация: 22

TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, NPN, 4

Инвентаризация: 29

SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T

Инвентаризация: 0

Top