Инвентаризация:3968

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20.7A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.4mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type Q)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 46.7 nC @ 10 V
  • 2799 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON

Инвентаризация: 710

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

Инвентаризация: 411126

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Инвентаризация: 756674

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

Инвентаризация: 138855

MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI

Инвентаризация: 4945

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3

Инвентаризация: 511014

Top