Инвентаризация:10833

Технические детали

  • Тип монтажа TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Количество витков Through Hole
  • Резистивный материал NPN
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Толщина ленты 1V @ 50mA, 500mA
  • Входной логический уровень - Низкий 10nA (ICBO)
  • Входной логический уровень - Высокий 100 @ 150mA, 10V
  • Тип диода 300MHz
  • Максимальное переменное напряжение TO-92-3
  • Суспензия 600 mA
  • 40 V
  • 625 mW

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 6.2V 1W DO41

Инвентаризация: 13235

DIODE ZENER 6.2V 1W DO41

Инвентаризация: 0

DIODE ZENER 6.2V 1W DO41

Инвентаризация: 2000

DIODE 1W 6.2V 5% DO-41.

Инвентаризация: 28

Zener Diode 1W 6.2V DO-41G

Инвентаризация: 10000

TRANS NPN 40V 0.8A TO18

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

Инвентаризация: 0

BJT TO92 40V NPN 0.625W 150C

Инвентаризация: 0

BJT TO-92 40V 600MA

Инвентаризация: 0

TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1

Инвентаризация: 4832

Top