Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerWDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 800mW (Ta), 900mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
• Глубина 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
• Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
• Тип симистора 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение Powerclip-33