- Модель продукта NVB190N65S3F
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2127
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 162W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 430µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 34 nC @ 10 V
- 1605 pF @ 400 V
- AEC-Q101