- Модель продукта STU7N60DM2
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 900mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 4.75V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение IPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 600 V
- 7.5 nC @ 10 V
- 324 pF @ 100 V