- Модель продукта FDU5N60NZTU
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2Ohm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK3 (IPAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 600 V
- 13 nC @ 10 V
- 600 pF @ 25 V