- Модель продукта SI4425FDY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14041
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +16V, -20V
- 30 V
- 41 nC @ 10 V
- 1620 pF @ 15 V