Инвентаризация:2684

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.7A (Ta), 50A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10.6mOhm @ 15A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta),52W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 85µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 2150 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN

Инвентаризация: 8060

Top