Инвентаризация:10048

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-563, SOT-666
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 460mW (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
  • Глубина 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
  • Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-563

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Инвентаризация: 1193964

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

Инвентаризация: 2296

MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6

Инвентаризация: 1833

Top