- Модель продукта SISS42LDN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:19986
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.3A (Ta), 39A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 14.9mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 48 nC @ 10 V
- 2058 pF @ 50 V