- Модель продукта MT3S111TU,LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13170
Технические детали
- Тип монтажа 3-SMD, Flat Lead
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 12.5dB
- Смываемый 800mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 6V
- Входной логический уровень - Высокий 200 @ 30mA, 5V
- Тип диода 10GHz
- Срок действия лицензии 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
- Максимальное переменное напряжение UFM
Сопутствующие товары
RF DIODE PIN 50V 100MW 3MCP
Инвентаризация: 10837
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Инвентаризация: 34072
RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Инвентаризация: 2500
RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
Инвентаризация: 2869
