- Модель продукта SISS05DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:9452
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29.4A (Ta), 108A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +16V, -20V
- 30 V
- 115 nC @ 10 V
- 4930 pF @ 15 V