Инвентаризация:11387

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.4W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta)
  • Глубина 610pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 3A, 10V
  • Тип симистора 8.5nC @ 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

Инвентаризация: 3027

MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

Инвентаризация: 10541

Top