Инвентаризация:5499

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 5.4mOhm @ 18A, 10V
  • Материал феррулы 1.4W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 160 nC @ 10 V
  • 7200 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC

Инвентаризация: 23380

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

Инвентаризация: 11142

Top