Инвентаризация:16268

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Ta), 80A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 26A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 175 nC @ 10 V
  • 7850 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB

Инвентаризация: 51667

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 4760

Top