- Модель продукта RF4L055GNTCR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:16676
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerUDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 43mOhm @ 5.5A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta)
- Барьерный тип 2.7V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение HUML2020L8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 7.8 nC @ 10 V
- 400 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Инвентаризация: 10212
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Инвентаризация: 6712
TRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
Инвентаризация: 8439
PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Инвентаризация: 2966
