- Модель продукта CA3509M4
- Бренд CEL (California Eastern Laboratories)
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET PHEMT FET 4V 4SUPMIN
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1720
Технические детали
- Тип монтажа SOT-343F
- Толщина контактного покрытия 20.6mA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 1.575GHz
- Площадь (Д x Ш) 17dB
- Функция - Освещение pHEMT FET
- Глубина (дюймы) 0.4dB
- Максимальное переменное напряжение 4-Super Mini Mold
- Длина ножки 4 V
- 3 V
- 15 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET PHEMT FET 4V 4SUPMIN
Инвентаризация: 3906
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Инвентаризация: 2015
RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362
Инвентаризация: 6858
