- Модель продукта ISP25DP06NMXTSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5473
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.9A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 1.9A, 10V
- Материал феррулы 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 270µA
- Максимальное переменное напряжение PG-SOT223-4
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 10.8 nC @ 10 V
- 420 pF @ 30 V