Инвентаризация:1954

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 134W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 571 pF @ 500 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

SICFET N-CH 650V 118A TO247N

Инвентаризация: 1106

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 445

SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 169

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L

Инвентаризация: 350

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

Инвентаризация: 2216

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

Top