Инвентаризация:3716

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 103W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 3.33mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 460 pF @ 500 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 445

SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 169

SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

Инвентаризация: 584

SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 254

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

Инвентаризация: 446

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

Top