Инвентаризация:1945

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 27A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 262W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 13.3mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 104 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1526 pF @ 500 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

Инвентаризация: 2246

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 430

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 254

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

Инвентаризация: 2216

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

Top